为了选择合适的场效应晶体管并进行设计,可以从以下方面入手:
1、选择N沟道或P沟道场效应晶体管:在典型的功率应用中,当一个场效应晶体管接地,而负载连接到干线电压上时,应采用N沟道场效应晶体管,当场效应晶体管连接到总线及负载接地时,就要用P沟道场效应晶体管。
1、确定额定电流:该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。在连续导通模式下,场效应晶体管处于稳态,此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流,只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。
1、确定额定电压:确定漏极至源极间可能承受的最大电压,即最大VDS。额定电压必须有足够的余量覆盖电压变化范围,确保电路不会失效。
1、注意器件的热稳定性:场效应晶体管在导电过程中会有电能损耗,这称之为导通损耗。场效应晶体管在“导通”时就像一个可变电阻,由器件的RDS(ON)所确定,并随温度而显著变化。
1、考虑场效应晶体管的封装件:晶片尺寸的增加会提高抗雪崩能力,最终提高器件的稳健性。因此选择更大的封装件可以有效防止雪崩。
1、注意栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容:这些电容会在器件中产生开关损耗,因为在每次开关时都要对它们充电。场效应晶体管的开关速度因此被降低,器件效率也下降。
除了以上方面,可以参考以下资料进行更深入的学习:
1、结型场效应管与绝缘栅的区别:结型场效应管 与绝缘栅场效应管 是两种不同的场效应晶体管。
2、场效应管的分类和原理:场效应管是一种电子元件,由于它的输入电阻很大,所以它对输入信号的影响很小,输出电流的变化范围很大。
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